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申请/专利权人：哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
申请日：2023-12-27
公开（公告）日：2024-05-14
公开（公告）号：CN118042907A
主分类号：H10N10/01
分类号：H10N10/01;H10N10/853;B22F7/04
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开
摘要：本发明涉及热电器件技术领域，提供了一种Mg3Sb,Bi2基热电器件的制备方法，包括：热电器件接触层形成步骤：使Mg2Ni粉体被设置于Mg3Sb,Bi2基热电块体的设定表面；对Mg3Sb,Bi2基热电块体和Mg2Ni粉体进行烧结，于所述Mg3Sb,Bi2基热电块体的设定表面形成由Mg2Ni粉体烧结成型的Mg2Ni接触层。本发明所提供的一种Mg3Sb,Bi2基热电器件和Mg3Sb,Bi2基热电器件的制备方法，通过筛选合适的接触层材料及工艺，实现热膨胀系数匹配，减小了接触层与热电材料的界面热应力，并且有效控制了界面的元素扩散与反应，提高了热电器件接头的热稳定性，热电器件接头具有较低的界面接触电阻，较佳的连接效果以及良好的界面稳定性，可靠性高和服役寿命长。
主权项：1.一种Mg3Sb,Bi2基热电器件的制备方法，其特征在于，包括：热电器件接触层形成步骤；所述热电器件接触层形成步骤包括：使Mg2Ni粉体被设置于Mg3Sb,Bi2基热电块体的设定表面；对Mg3Sb,Bi2基热电块体和Mg2Ni粉体进行烧结，于Mg3Sb,Bi2基热电块体的设定表面形成由Mg2Ni粉体烧结成型的Mg2Ni接触层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) 一种Mg3(Sb,Bi)2基热电器件和Mg3(Sb,Bi)2基热电器件的制备方法
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