恭喜国际商业机器公司S·西埃格获国家专利权
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龙图腾网恭喜国际商业机器公司申请的专利纳米片的直接印刷和自对准双重图案化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080049131.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权纳米片的直接印刷和自对准双重图案化是由S·西埃格;D·J·德切尼;E·米勒设计研发完成，并于2020-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米片的直接印刷和自对准双重图案化在说明书摘要公布了：一种形成半导体结构的方法，包括在衬底之上形成包括牺牲材料和沟道材料的交替层的纳米片叠置体，沟道材料层为一个或多个纳米片场效应晶体管提供纳米片沟道。该方法还包括：在该纳米片叠层之上形成硬掩模叠置体；以及在该硬掩模叠置体之上形成图案化层。该方法进一步包括在该图案化层上方图案化光刻掩模，该光刻掩模限定i一个或多个第一区域，该一个或多个第一区域用于在该纳米片叠置体和该衬底中直接印刷具有第一宽度的一个或多个鳍状物；以及ii一个或多个第二区域，该一个或多个第二区域用于使用自对准双重图案化来设置在该纳米片叠置体和该衬底中的具有第二宽度的两个或更多个鳍状物之间的间隔。第二宽度小于第一宽度。
本发明授权纳米片的直接印刷和自对准双重图案化在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底之上形成包括牺牲材料和沟道材料的交替层的纳米片叠置体，所述沟道材料的层为一个或多个纳米片场效应晶体管提供纳米片沟道；在所述纳米片叠置体上方形成硬掩模叠置体；在所述硬掩模叠置体之上形成图案化层；以及在所述图案化层上图案化光刻掩模，所述光刻掩模限定：i一个或多个第一区域，所述一个或多个第一区域用于在所述纳米片叠置体和所述衬底中直接印刷具有第一宽度的一个或多个鳍状物，以及ii一个或多个第二区域，所述一个或多个第二区域用于使用自对准双重图案化来设置在所述纳米片叠置体和所述衬底中的具有第二宽度的两个或更多个鳍状物之间的间隔；其中，所述第二宽度小于所述第一宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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