申请/专利权人：南通苏民新能源科技有限公司

申请日：2018-01-10

公开（公告）日：2018-09-11

公开（公告）号：CN207852690U

主分类号：H01L31/0224(2006.01)I

分类号：H01L31/0224(2006.01)I

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2018.09.11#授权

摘要：本实用新型公开了一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，包括第一铝背场区，等间距分布在第一铝背场区中的第二铝背场区和背电极，所述的背电极设置在第二铝背场的四周，所述的第二铝背场位于背电极所形成的中间镂空的矩形方框中。本实用新型所制作的BSF晶体硅电池通过增大背电极中的铝背场的面积从而提高断路电流和电流转换效益。

主权项：1.一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于：包括第一铝背场区；第二铝背场区，等间距的分布在第一铝背场区中；和背电极，所述的背电极设置在第二铝背场的四周，所述的第二铝背场位于背电极所形成的中间镂空的矩形方框中。

全文数据：一种増大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极技术领域[0001]本实用新型太阳能电池结构领域，具体涉及一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极。背景技术[0002]传统BSF晶硅电池是在电池背面印刷铝浆，烧结时铝渗入原本掺杂硼的P-type硅形成一层数微米厚的P+层作为背场，以降低背表面复合速度来提高电池的开路电压Voc，同时紧密光滑的BSF层可以增加内部反射，提高开路电压和短路电流。[0003]传统的背面金属化方案是先在硅片背面印刷一定面积的矩形银浆，然后在硅片背面避开银背电极印刷整面铝浆，形成铝背场。随着效率要求越来越高，铝背场的边缘距离硅片的边缘越来越近。[0004]当边缘距离越来越小，娃片边缘粘到错楽的概率会越来越大，电池的漏电流也会越来越大，如何增大铝背场的面积已成为瓶颈。因此本实用新型设计了一种增加铝背场面积的BSF晶体硅电池的电极。实用新型内容[0005]针对上述问题，本实用新型提出一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极。[0006]实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：[0007]—种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，包括：[0008]第一铝背场区；[0009]第二铝背场区，等间距的分布在第一铝背场区中；[0010]和背电极，所述的背电极设置在第二铝背场的四周，所述的第二铝背场位于背电极所形成的中间镂空的矩形方框中。[0011]作为本实用新型的进一步改进，所述的第一铝背场区和第二铝背场区采用铝浆制作，包括嵌入硅片层的BSF层和位于硅片层上方的铝电极层。[0012]作为本实用新型的进一步改进，所述的背电极位于第一铝背场和第二铝背场之间的铝电极层的间隙中。[0013]作为本实用新型的进一步改进，所述的背电极的宽度为0.1-0.4_。[0014]作为本实用新型的进一步改进，所述的背电极的高度大于或等于铝电极层的高度，为5-25um。[0015]作为本实用新型的进一步改进，所述的背电极和第二铝背场所形成的区域的上方设有汇流条，所述的汇流条与背电极向接触。[0016]本实用新型的有益效果:本实用新型所制作的BSF晶体硅电池通过增大背电极中的铝背场的面积从而提高断路电流和电流转换效益。附图说明[0017]图1为本实用新型一种实施例的平面结构示意图；[0018]图2为本实用新型一种实施例的立体结构示意图；[0019]图3为本实用新型的所制备的一种改进电池与常规电池的电流-电压比较图；[0020]其中：1-第一铝背场区，2-第二铝背场区，3-背电极，4-汇流条。具体实施方式[0021]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。[0022]下面结合附图对本实用新型的应用原理作详细的描述。[0023]如图1-2所示的本实用新型所设计的BSF晶体硅电池的背电极结构，包括第一铝背场区1，等间距的分布在第一铝背场区1中的第二铝背场区2;和背电极3,所述的背电极3设置在第二铝背场的四周，所述的第二铝背场位于背电极3所形成的中间镂空的矩形方框中。[0024]为了制备如上所述的BSF晶体硅电池的背电极，所述的电极的制作步骤包括：[0025]在电池背面的硅片上用银浆印刷中间镂空的矩形方框，最终所制备的背电极的宽度控制在0·1-〇·4mm，高度为5_25um。[0026]随后在电池的背面避开背电极的区域用铝浆印刷铝背场，所印刷的铝背场包括位于背电极3所形成矩形方框的中间镂空区域中的第二铝背场区2和位于矩形方框外的第一铝背场区1。经烘干煅烧后所形成的铝背场包括嵌入硅片层的BSF层和位于硅片层上方的铝电极层。所述的背电极3位于第一铝背场和第二铝背场之间的铝电极层的间隙中，通过与两侧的铝背场区相接触导出电流。所形成的背电极的宽度控制在0.1-0.4_，大于或等于铝电极层的高度，为5-25um〇[0027]最终采用焊接的方法在所述的背电极3和第二铝背场区2所形成的区域的上方焊接汇流条4。所述的汇流条4与背电极3相接触。[0028]为了提高背电极3的高度和焊接拉力，本实用新型中所述的制作背电极3的银浆采用的是含银量大于80%的高含量的银浆。[0029]采用本实用新型制作的BSF晶体硅电池的背电极中单片电池片增加的铝背场面积约350-400mm2，所制作的太阳能电池的光电转化效率提高了0.05-0.15%。图3为铝背场面积增加的375mm2时所制备的太阳能电池的电流电压曲线，根据电流电压曲线统计的数据如表一所不。[0030]表一：[0031][0032]表一中Pmpp为最大工作功率，Uoc为开路电压，Isc为短路电流，Rs和Rsh分别为串联和并联电阻，FF为填充因子，Eta为光电转化效率。[0033]由表一可知，本实用新型所制备的太阳能电池片的开压增加2mV，短流增加10mA，转换效率提高0.11%。[0034]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

权利要求：1.一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于:包括第一铝背场区；第二铝背场区，等间距的分布在第一铝背场区中；和背电极，所述的背电极设置在第二铝背场的四周，所述的第二铝背场位于背电极所形成的中间镂空的矩形方框中。2.根据权利要求1所述的一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于:所述的第一铝背场区和第二铝背场区采用铝浆制作，包括嵌入硅片层的BSF层和位于硅片层上方的铝电极层。3.根据权利要求1或2所述的一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于:所述的背电极位于第一铝背场和第二铝背场之间的铝电极层的间隙中。4.根据权利要求3所述的一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于:所述的背电极的宽度为〇.1-0.4_。5.根据权利要求3所述的一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于:所述的背电极的高度大于或等于铝电极层的高度，为5-25um。6.根据权利要求1所述的一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于:所述的背电极和第二铝背场所形成的区域的上方设有汇流条，所述的汇流条与背电极向接触。

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