申请/专利权人：常州大学

申请日：2015-10-14

公开（公告）日：2016-02-03

公开（公告）号：CN105306192A

主分类号：H04L9/00(2006.01)I

分类号：H04L9/00(2006.01)I

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2018.09.21#发明专利申请公布后的视为撤回;2016.03.02#实质审查的生效;2016.02.03#公开

摘要：本发明公开了一种耦合一阶广义忆阻器实现的四阶忆阻Colpitts混沌信号发生器，包括一阶广义忆阻器M、电容C1、电容C2、电感L、电阻R1、双极性晶体三极管Q。本发明的耦合一阶广义忆阻器实现的四阶忆阻Colpitts混沌信号发生器通过调节电路参数即可产生单涡卷混沌吸引子、周期极限环等复杂的非线性现象，使其成为了一类新型的混沌信号发生器。其结构简单，稳定性强，具有显著的混沌特性，对于忆阻混沌电路的应用发展起到较大的推进作用。

主权项：一种耦合一阶广义忆阻器实现的四阶忆阻Colpitts混沌信号发生器，其特征在于：包括一阶广义忆阻器M、电容C1、电容C2、电感L、电阻R1、双极性晶体三极管Q；其中双极性晶体三极管Q的集电极端分别与电感L的一端、电容C2的正极端相连，记做a端；电容C2的负极端与电容C1的正极端相连，记做b端；电感L的另一端与电阻R1的一端相连；电阻R1的另一端与电源VCC的正极端相连；电源VCC的负极端与双极性晶体三极管Q的基极端相连，记做d端；电容C1的负极端与电源VEE的正极端相连，记做c端；电源VEE的负极端与一阶广义忆阻器M的负极端相连；一阶广义忆阻器M的正极端与双极性晶体三极管Q的发射极端相连，记做e端；其中b、c端分别与e、d端相连；c端接地。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 常州大学 一种耦合一阶广义忆阻器实现的四阶忆阻Colpitts混沌信号发生器

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