申请/专利权人：北京信芯科技有限公司

申请日：2019-10-22

公开（公告）日：2020-02-11

公开（公告）号：CN110784179A

主分类号：H03D7/14(20060101)

分类号：H03D7/14(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.01.25#授权;2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要：本发明公开了双平衡FET混频器，所述双平衡FET混频器包括FET环形混频核心、射频平面巴伦、本振平面巴伦和中频平面巴伦，所述FET环形混频核心由第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管相互连接而成，所述射频平面巴伦、本振平面巴伦和中频平面巴伦均采用MARCHAND巴伦，直流偏置电压VG通过本振平面巴伦的耦合线引入到四个FET器件的栅级，四个FET器件的栅压直流偏置电压VG，通过调节直流偏置电压VG来控制第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管的偏置状态。

主权项：1.一种双平衡FET混频器，其特征在于：所述双平衡FET混频器包括FET环形混频核心、射频平面巴伦、本振平面巴伦和中频平面巴伦，所述FET环形混频核心由第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管相互连接而成；所述第一FET管的栅极与第四FET管的栅极连接，所述第一FET管的漏极与第二FET管的漏极连接，所述第一FET管的源极与第三FET管的源极连接，所述第二FET管的栅极与第三FET管的栅极连接，所述第二FET管的源极与第四FET管的源极连接，所述第三FET管的漏极与第四FET管的漏极连接；所述射频平面巴伦、本振平面巴伦和中频平面巴伦均采用MARCHAND巴伦，直流偏置电压VG通过本振平面巴伦的耦合线引入到四个FET器件的栅级，四个FET器件的栅压外接直流偏置电压VG，通过调节直流偏置电压VG来控制第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管的偏置状态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京信芯科技有限公司 一种双平衡FET混频器

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