申请/专利权人：派赛公司

申请日：2022-06-22

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117795854A

主分类号：H03K17/16

分类号：H03K17/16

优先权：["20210713 US 17/374,927"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：一种用于FET开关的堆叠布置的公共栅极电阻器旁路布置，该布置包括跨公共栅极电阻器的nMOS晶体管和pMOS晶体管的串联组合。在FET开关的堆叠布置的转变状态的至少转变部分期间，nMOS晶体管和pMOS晶体管都处于导通状态并且旁路公共栅极电阻器。另一方面，在FET开关的堆叠布置的导通稳定状态和关断稳定状态的至少稳定状态部分期间，nMOS晶体管和pMOS晶体管中的一个晶体管处于关断状态，并且nMOS晶体管和pMOS晶体管中的另一个晶体管处于导通状态，因此不旁路公共栅极电阻器。

主权项：1.一种FET开关堆叠，包括：FET开关的堆叠布置，其在一端处连接至被配置成耦接至RF信号的RF端子，所述FET开关堆叠被配置成具有其中所述FET开关分别导通或关断的导通稳定状态或关断稳定状态以及其中所述FET开关从导通转变至关断或者从关断转变至导通的转变状态；包括连接至所述FET开关的栅极端子的电阻器的栅极电阻器网络和连接至所述栅极电阻器网络的一个或更多个公共栅极电阻器，所述栅极电阻器网络和所述一个或更多个公共栅极电阻器被配置成将栅极控制电压IN馈送至所述FET开关的栅极端子；以及公共栅极电阻器旁路布置，其包括跨所述一个或更多个公共栅极电阻器连接的nMOS晶体管和pMOS晶体管的至少一个串联组合，并被配置成：i在所述FET开关的堆叠布置的所述转变状态的至少转变部分期间旁路所述一个或更多个公共栅极电阻器，在所述转变部分期间，所述nMOS晶体管和所述pMOS晶体管都处于导通状态，以及ii在所述FET开关的堆叠布置的所述导通稳定状态和所述关断稳定状态的至少稳定状态部分期间不旁路所述一个或更多个公共栅极电阻器，在所述稳定状态部分期间，所述nMOS晶体管和所述pMOS晶体管中的一个晶体管处于关断状态，并且所述nMOS晶体管和所述pMOS晶体管中的另一个晶体管处于导通状态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 派赛公司 用于RF FET开关堆叠的栅极电阻器旁路

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