申请/专利权人：国家纳米科学中心

申请日：2022-02-09

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN114446738B

主分类号：H01J1/46

分类号：H01J1/46;H01J3/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.05.24#实质审查的生效;2022.05.06#公开

摘要：本发明提供了一种栅极结构、场发射电子枪及其应用，所述栅极结构包括栅网和固定结构，所述栅网包括层叠的粗栅网与细栅网，所述固定结构内设置有通孔，所述栅网设置于固定结构的一侧表面并覆盖所述通孔，其中，所述粗栅网一侧贴近所述固定结构表面。本发明所述粗栅网能够固定细栅网，同时保证电子具有高通过率和阴极具有较高场发射电流密度；细栅网能够使阴极与栅极之间的电场更均匀，本发明所述栅极结构采用粗细结合的栅网。本发明所述栅极结构调节后的阴极表面电场分布均匀，栅极结构的电子通过率高、阳极电流大，栅极结构有利于提高场发射型电子枪的整体性能。

主权项：1.一种栅极结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅网和固定结构，所述栅网包括层叠的粗栅网与细栅网，所述固定结构内设置有通孔，所述栅网设置于固定结构的一侧表面并覆盖所述通孔，其中，所述粗栅网一侧贴近所述固定结构表面；所述粗栅网的占空比为0.7-0.9，所述细栅网的占空比为0.7-0.9。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国家纳米科学中心 一种栅极结构、场发射电子枪及其应用

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