申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2020-11-02

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113363379B

主分类号：H10N70/00

分类号：H10N70/00;H10B63/10;H10N50/01;H10N50/80;H10N50/10;H10B61/00

优先权：["20200304 KR 10-2020-0027405"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.09.24#实质审查的生效;2021.09.07#公开

摘要：一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成第一碳电极材料；对第一碳电极材料进行表面处理以减小第一碳电极材料的表面粗糙度；以及在处理后的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料。第二碳电极材料的厚度可以大于第一碳电极材料的厚度。

主权项：1.一种用于制造电子设备的方法，所述电子设备包括半导体存储器，所述方法包括：形成第一碳电极材料；对所述第一碳电极材料进行表面处理以减小所述第一碳电极材料的表面粗糙度；以及在经表面处理的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料，其中所述第二碳电极材料的厚度小于所述第一碳电极材料的厚度并且覆盖所述经表面处理的第一碳电极材料的表面所包括的损坏区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 电子设备及制造电子设备的方法

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