申请/专利权人：东南大学

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894848A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了复合栅极纳米空气沟道晶体管结构及驱动方式。复合栅极纳米空气沟道晶体管，包括器件依托的半导体基底、阴极、阳极，以及平面栅极等辅助电极、绝缘层组成的具有晶体管特性的纳米器件，在器件工作时将半导体基底施加栅极信号，使其实现背栅极的作用，与平面栅极共同作用形成复合型栅极，克服制作在半导体基底上的平面栅极纳米空气沟道晶体管在工作时基底接地对阴极表面电场的影响，降低栅极工作电压，提高栅极对阴极的调制能力。

主权项：1.复合栅极纳米空气沟道晶体管结构，其特征是：在作为背栅极的半导体基底1上制作绝缘层2，并在绝缘层2上制作阴极3和阳极4，在阴极3和阳极4的侧面设置有控制阴极电子发射的平面栅极5，半导体基底1与平面栅极5共同形成复合栅极6；阴极3与平面栅极5、阳极4与平面栅极5之间均保持1000纳米以内的间隙7；当半导体基底1和平面栅极5共同作用施加高于阴极3形成场发射电子的驱动电压8时，阴极3发射的电子9在复合栅极6和阳极电压10的共同作用下向阳极4运动并到达阳极4形成阳极电流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东南大学 复合栅极纳米空气沟道晶体管结构及驱动方式

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