申请/专利权人：东南大学

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878141A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/861;H01L29/417

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了复合阳极纳米空气沟道二极管结构。复合阳极纳米空气沟道二极管结构，包括器件依托的半导体基底、绝缘层、阴极、平面阳极组成的具有二极管特性的纳米器件，在器件工作时将半导体基底和平面阳极共同施加阳极信号，使其实现与平面阳极共同作用形成复合型阳极，克服制作在半导体基底上的纳米空气沟道二极管在工作时基底接地对阴极表面电场的影响，降低复合阳极工作电压，提高复合阳极对阴极的调制能力。

主权项：1.复合阳极纳米空气沟道二极管结构，其特征是：在作为背阳极的半导体基底1上制作绝缘层2，并在绝缘层2上制作阴极3和平面阳极4，半导体基底1与平面阳极4共同形成复合阳极5；阴极3与平面阳极4之间保持1000纳米以内的间隙6；当半导体基底1和平面阳极4共同作用施加高于阴极3形成场发射电子的电压时，阴极3发射的电子在复合阳极电压的共同作用下向平面阳极4运动并到达平面阳极4形成阳极电流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东南大学 复合阳极纳米空气沟道二极管结构

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