申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-07-08

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN112106199B

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35;H10B43/27;H10B41/35;H10B41/27

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.01.05#实质审查的生效;2020.12.18#公开

摘要：公开了三维3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。形成在衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有梅花形状的沟道孔。沿沟道孔的侧壁从外侧到内侧按下述顺序形成各自遵循梅花形状的连续阻挡层、连续电荷捕集层和连续隧穿层。形成各自设置在连续隧穿层的在梅花形状的相应顶点处的部分之上的多个分开的半导体沟道。

主权项：1.一种用于形成三维3D存储器件的方法，包括：形成在衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有梅花形状的沟道孔；沿所述沟道孔的侧壁依次形成各自遵循所述梅花形状的阻挡层、电荷捕集层、隧穿层和半导体沟道层；在所述半导体沟道层之上形成蚀刻停止层，使得所述蚀刻停止层在所述梅花形状的每一顶点处的顶点厚度大于所述蚀刻停止层在所述梅花形状的边缘处的边缘厚度；去除所述蚀刻停止层的在所述梅花形状的所述边缘处的部分，以露出所述半导体沟道层的在所述梅花形状的所述边缘处的部分；去除所述半导体沟道层的在所述梅花形状的所述边缘处的所述部分，以将所述半导体沟道层分成各自在所述梅花形状的相应顶点处的多个半导体沟道；以及形成帽盖层以完全填充所述沟道孔，其中，在形成所述帽盖层以完全填充所述沟道孔之后，所述阻挡层、所述电荷捕集层和所述隧穿层中的每者是连续的，并且每者的厚度在平面图中是标称均匀的。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于形成具有拥有梅花形状的沟道结构的三维存储器件的方法

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