申请/专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心

申请日：2023-11-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117880651A

主分类号：H04N25/71

分类号：H04N25/71;H01L27/148

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种低暗信号高量子效率双沟道转移CCD结构，属于埋沟CCD器件领域，包括依次相邻的CCD硅片外延、电荷转移沟道、介质层和多晶转移栅，所述电荷转移沟道包括左右两端的沟阻、中间的两个主沟道和一辅沟道，两个主沟道分别位于辅沟道与左右两端的沟阻之间。本发明通过主沟道加辅沟道的双沟道结构设计使CCD器件的信号电荷转移，且不影响CCD器件本身的工作方式和时序，因此本结构适用于帧转移CCD、行间转移CCD等不同类型的器件。本发明的有益效果是：使得CCD器件具有更大的电荷容量；信号电荷在转移过程中遇到的陷阱更少；更好的转移效率。

主权项：1.一种低暗信号高量子效率双沟道转移CCD结构，其特征在于，包括依次相邻的CCD硅片外延、电荷转移沟道、介质层和多晶转移栅，所述电荷转移沟道包括左右两端的沟阻、中间的两个主沟道和一辅沟道，两个主沟道分别位于辅沟道与左右两端的沟阻之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 一种低暗信号高量子效率双沟道转移CCD结构

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