申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心;中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117525154B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明公开了一种双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法，器件包括沟槽A、沟槽B、源极沟槽、器件衬底、器件外延层和第一源区、第一阱区和第一屏蔽区，沟槽A和沟槽B组成栅极沟槽。通过沟槽A和沟槽B位置、宽度和深度的设计，提升了双沟槽碳化硅MOSFET器件对栅介质的保护效果，有效提高了器件可靠性，同时，本发明器件结构可以明显减小栅漏电容，从而实现了更优异的开关特性。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。

主权项：1.一种双沟槽碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：漏极电极；器件衬底，位于所述漏极电极之上；器件外延层，位于所述器件衬底之上；第一屏蔽区，位于所述器件外延层之中；第一阱区，位于所述器件外延层之中且位于第一屏蔽区之上；第一源区，位于所述第一阱区之中；沟槽A，位于所述器件外延层之中；沟槽B，位于所述器件外延层之中、位于所述沟槽A之上，且与沟槽A相连通；沟槽A中填满栅介质层，所述沟槽A宽度大于沟槽B宽度，二者之差不小于0.1µm；源极沟槽，位于所述器件外延层之中以及所述第一屏蔽区之上及侧边；栅介质层，位于所述沟槽A、沟槽B之中；栅极电极，位于所述沟槽B之中，且被栅介质层包裹；隔离介质层，位于所述栅极电极之上，完全覆盖栅极电极；源极电极，位于所述器件外延层之上，所述隔离介质层两侧及之上。

全文数据：

权利要求：

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