申请/专利权人：深圳基本半导体有限公司

申请日：2023-11-16

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117238972B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2024.01.02#实质审查的生效;2023.12.15#公开

摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法。该结构包括：从下至上依次设置的n+型碳化硅衬底、n‑型漂移层、n型电流传输层；在n型电流传输层的顶部两侧分别从外至内依次设有p+型基区、n+型源区以及栅氧化层，栅氧化层包裹有多晶硅栅；栅氧化层、p+型基区以及n+型源区的底部设有p+型保护区；n型电流传输层的上方设有隔离介质层，隔离介质层的两侧分别设有接触电极，隔离介质层的上方设有源电极，n+型碳化硅衬底的背面设有漏电极。通过上述方式，本发明能够改变器件沟道电流的方向，使得沟道电流方向上没有设置沟槽保护结构，通过引入电流传输层减少沟槽保护结构对沟道电流的影响，获得更低的比导通电阻。

主权项：1.一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构，其特征在于，所述沟槽型碳化硅MOSFET器件结构包括从下至上依次设置的n+型碳化硅衬底、n-型漂移层、n型电流传输层；在所述n型电流传输层的顶部两侧分别从外至内依次设有p+型基区、n+型源区以及栅氧化层，所述栅氧化层包裹有多晶硅栅；所述栅氧化层、所述p+型基区以及所述n+型源区的底部设有p+型保护区；所述n型电流传输层的上方设有隔离介质层，所述隔离介质层的两侧分别设有接触电极，所述隔离介质层的上方设有源电极，所述n+型碳化硅衬底的背面设有漏电极；所述p+型基区为方形结构且对应所述栅氧化层间隔排列设置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳基本半导体有限公司 一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法

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