申请/专利权人：合肥矽普半导体科技有限公司

申请日：2023-09-07

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN220796754U

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/265;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权

摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种低开关损耗的SGTMOSFET器件，包括外延层；一体区，体区位于外延层上方；一源区，源区位于体区上方；一沟槽，沟槽位于外延层上并延伸穿过体区和源区，沟槽内的中部具有栅极多晶硅，沟槽内的上部填充有介质隔离部，介质隔离部位于栅极多晶硅上。本实用新型通过在栅极多晶硅上方填充介质隔离部以及在源区下方增加旋转注入源区，来增加介质隔离层的厚度d和降低接触面积S，以及使N+带一定角度的方式注入，最小程度的控制N+注入区域体积，从而降低电容，最终降低器件的开关损耗。

主权项：1.一种低开关损耗的SGTMOSFET器件，其特征在于所述低开关损耗的SGTMOSFET器件包括：一外延层；一体区，所述体区位于所述外延层上方；一源区，所述源区位于所述体区上方；一沟槽，所述沟槽位于所述外延层上并延伸穿过所述体区和所述源区，所述沟槽内的中部具有栅极多晶硅，所述沟槽内的上部填充有介质隔离部，所述介质隔离部位于所述栅极多晶硅上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥矽普半导体科技有限公司 低开关损耗的SGT MOSFET器件

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