申请/专利权人：乐山无线电股份有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810086A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种宽SOA的SGT器件的制造方法，通过形成栅氧化层和栅极材料时对沟槽宽度的调整，并增加了使用PSG或BSG材料扩散形成的或离子注入形成的额外掺杂区使得SGT器件的沟道长度能够得到有效的增长。本专利所提SGT器件及工艺，无需增加额外的光刻版，与常规SGT制作工艺兼容，在不造成工艺难度和成本增大的同时，能够有效增长器件的沟道长度，增强器件的抗热不稳定性能，得到更大的安全工作区（SOA），此外，额外的注入区域还能够对器件电场分布进行优化调整，提高器件耐压。

主权项：1.一种宽SOA的SGT器件的制造方法，包括形成衬底片，在衬底片上形成外延层，在外延层中形成沟槽，在沟槽中形成屏蔽栅结构、栅氧化层和栅极材料，形成中等掺杂体区和重掺杂源区，进行芯片表面的氧化和钝化，形成重掺杂的体区欧姆接触区，金属化，其特征在于，在所述形成沟槽和所述在沟槽中形成栅氧化层和栅极材料时，包括如下步骤：步骤1：在所述外延层上形成有源区和终端区的若干沟槽，然后进行氧化生长，再进行多晶材料的淀积；步骤2：刻蚀去除掉有源区内的沟槽外部以及内部多余部分的多晶材料；步骤3：刻蚀多余的氧化层材料，形成回刻后的屏蔽栅多晶和厚氧化层结构；步骤4：展宽屏蔽栅区域上方的沟槽宽度，在展宽后的沟槽侧壁上形成额外掺杂区；步骤5：在形成额外掺杂区后的沟槽中形成氧化层；步骤6：进行氧化层的刻蚀，形成屏蔽栅和控制栅之间的隔离氧化层；步骤7：进行沟槽侧壁的牺牲氧化层生长和刻蚀，消除沟槽侧壁应力，再进行栅氧化层的生长步骤8：进行控制栅多晶材料的淀积，回刻多晶材料，形成栅极结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 乐山无线电股份有限公司 一种宽SOA的SGT器件的制造方法

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