申请/专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司

申请日：2024-02-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747672A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L23/48;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种SGT器件及其制备方法，SGT器件包括：半导体衬底，半导体衬底上开设有单栅沟槽和双栅沟槽，双栅沟槽间隔排列于单栅沟槽的两侧；栅极组，栅极组包括设于单栅沟槽内的单栅极结构，以及设于双栅沟槽内的双栅极结构；接触孔结构，接触孔结构开设在半导体衬底上，且对称连接在单栅极结构的侧边，接触孔结构沉积有金属引出层；阱体区，阱体区设于半导体衬底上，且位于双栅极结构的两侧，位于双栅极结构一侧的阱体区延展至接触孔结构；源极区，源极区设于半导体衬底上，且对应排布在阱体区的上表面。本申请提高器件元胞密度，实现降低器件Rsp目的。

主权项：1.一种SGT器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上开设有单栅沟槽和双栅沟槽，所述双栅沟槽间隔排列于所述单栅沟槽的两侧；栅极组，所述栅极组包括设于所述单栅沟槽内的单栅极结构，以及设于所述双栅沟槽内的双栅极结构；接触孔结构，所述接触孔结构开设在所述半导体衬底上，且对称连接在所述单栅极结构的侧边，所述接触孔结构沉积有金属引出层；阱体区，所述阱体区设于所述半导体衬底上，且位于所述双栅极结构的两侧，位于所述双栅极结构一侧的所述阱体区延展至所述接触孔结构；源极区，所述源极区设于所述半导体衬底上，且对应排布在所述阱体区的上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市威兆半导体股份有限公司 SGT器件及其制备方法

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