申请/专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司

申请日：2024-02-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747671A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L23/48;H01L29/423;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种SGTMOSFET器件及其制备方法，SGTMOSFET器件包括半导体衬底，半导体衬底的外延层上划分有元胞区；栅极结构，栅极结构包括元胞沟槽以及设于元胞沟槽内的沟槽栅，元胞沟槽在元胞区内沿第一方向和第二方向排列；元胞体区，元胞体区设于半导体衬底上，且位于相邻的沟槽栅之间；元胞源区，元胞源区设于半导体衬底上且对应排布在元胞体区的上表面；接触孔，接触孔位于相邻的沟槽栅之间的中心处，接触孔沿第一方向和第二方向均匀排列，沿第一方向排列的接触孔构成一单接触孔阵列，相邻的单接触孔阵列中的接触孔在第二方向上对齐或交错排列。本申请提高了器件元胞集成度，实现降低器件Rsp目的。

主权项：1.一种SGTMOSFET器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上设有外延层，所述外延层上划分有元胞区；栅极结构，所述栅极结构包括元胞沟槽以及设于所述元胞沟槽内的沟槽栅，所述元胞沟槽在所述元胞区内沿第一方向和第二方向排列；元胞体区，所述元胞体区设于所述半导体衬底上，且位于相邻的所述沟槽栅之间；元胞源区，所述元胞源区设于所述半导体衬底上，且对应排布在所述元胞体区的上表面；接触孔，所述接触孔位于相邻的所述沟槽栅之间的中心处，且贯穿所述元胞源区后探入至所述元胞体区内，所述接触孔沿所述第一方向和所述第二方向均匀排列，沿所述第一方向排列的接触孔构成一单接触孔阵列，相邻的所述单接触孔阵列中的接触孔在所述第二方向上对齐或交错排列。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市威兆半导体股份有限公司 SGT MOSFET器件及其制备方法

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