申请/专利权人：西安海格电气技术有限公司

申请日：2023-04-27

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117896917A

主分类号：H05K3/34

分类号：H05K3/34;H05K3/32;H05K1/02;H01L25/07

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种MOSFET管并联电路布局方法，包括散热器、电池正接线柱、电池负接线柱、U相功率接线柱、V相功率接线柱和W相功率接线柱，上述部件均采用压铸铝构件，所述控制板包括印制电路板、电流传感器、电池正接线柱、电池负接线柱、母线电容和紧固螺丝，母线电容焊接于印制电路板上，电流传感器固定于印制电路板上，紧固螺丝穿过印制电路板和铝基板将电池正接线柱和电池负接线柱紧固于散热器上，所述铝基板是单层铝基板，包括MOSFET管、B+铜环、B‑铜环、U相功率接线柱、V相功率接线柱和W相功率接线柱，所述MOSFET管、B+铜环和B‑铜环通过SMT工艺焊接于铝基板上，本发明，具有实用性强的特点。

主权项：1.一种MOSFET管并联电路布局方法，其特征在于：该方法采用的器件包括散热器1、电池正接线柱23、电池负接线柱24、U相功率接线柱34、V相功率接线柱35和W相功率接线柱36，上述部件均采用压铸铝构件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安海格电气技术有限公司 一种MOSFET管并联电路布局方法

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