申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2022-05-26

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN115021529B

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08;H02M1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.09.23#实质审查的生效;2022.09.06#公开

摘要：本发明公开了一种抑制SiCMOSFET米勒平台电压骤降的驱动电路，分别设置于上桥臂和下桥臂；驱动电路中，一电阻的一端、第二电阻的一端、第三电阻的一端并联于推挽输出接口；第二电阻的另一端连接第一肖特基二极管的阴极，第三电阻的另一端连接电容的一端和N沟道场效应管的漏极；N沟道场效应管的栅极接第四电阻的一端，第四电阻的另一端接受控脉冲源的正极，受控脉冲源的阴极与N沟道场效应管的源极均连接第二肖特基二极管的阳极；第一肖特基二极管的阳极、第一电阻的另一端、电容的另一端、第二肖特基二极管的阴极均连接SiCMOSFET的栅极。本发明能够抑制SiCMOSFET功率器件的米勒平台电压大幅下降和栅极串扰。

主权项：1.一种抑制SiCMOSFET米勒平台电压骤降的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路分别设置于上桥臂和下桥臂；所述驱动电路包括四个电阻、两个肖特基二极管、一个电容、一个受控脉冲源和一个N沟道场效应管；其中，第一电阻的一端、第二电阻的一端、第三电阻的一端并联于推挽输出接口；第二电阻的另一端连接第一肖特基二极管的阴极，第三电阻的另一端连接所述电容的一端和所述N沟道场效应管的漏极；所述N沟道场效应管的栅极接第四电阻的一端，第四电阻的另一端接所述受控脉冲源的正极，所述受控脉冲源的阴极与所述N沟道场效应管的源极均连接第二肖特基二极管的阳极；第一肖特基二极管的阳极、第一电阻的另一端、所述电容的另一端、第二肖特基二极管的阴极均连接SiCMOSFET的栅极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种抑制SiC MOSFET米勒平台电压骤降的驱动电路

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