申请/专利权人：厦门腾睿微电子科技有限公司

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2023-12-22

公开（公告）号：CN117277761A

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08;H02M1/32;H02M1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.09#实质审查的生效;2023.12.22#公开

摘要：本发明公开了一种集成米勒钳位保护电路的驱动装置，用于驱动SiCMOSFET，其包括：充电模块，用于对SiCMOSFET的栅极充电，并可控制其输出电流的大小以调节SiCMOSFET的栅极电流Ig的大小；放电模块用于对SiCMOSFET栅极放电，并通过控制其输出电流的大小以调节SiCMOSFET的栅极电流Ig大小；米勒钳位保护模块，用于产生米勒钳位电压Vf，当SiCMOSFET的栅源极电压Vgs大于米勒钳位电压Vf时，关断SiCMOSFET。本申请可对SiCMOSFET栅极电流精确控制及对位移电流有效抑制，从而提高SiCMOSFET的开关性能及可靠性。

主权项：1.一种集成米勒钳位保护电路的驱动装置，用于驱动SiCMOSFET，其特征在于，该装置包括：充电模块，其与SiCMOSFET的栅极连接，用于对SiCMOSFET的栅极充电，并可控制其输出电流的大小以调节SiCMOSFET的栅极电流Ig的大小；其中所述充电模块包括多个输出端的第一电流镜单元以及多个充电通道的第一开关控制单元；其中每个所述充电通道的额定电流量不同；放电模块，其与SiCMOSFET的栅极连接，用于对SiCMOSFET栅极放电，并通过控制其输出电流的大小以调节SiCMOSFET的栅极电流Ig大小；其中所述放电模块包括多个输出端的第二电流镜单元以及多个放电通道的第二开关控制单元；其中每个所述放电通道的额定电流量不同；米勒钳位保护模块，其与SiCMOSFET的栅极连接，用于产生米勒钳位电压Vf，当SiCMOSFET的栅源极电压Vgs大于米勒钳位电压Vf时，关断SiCMOSFET，防止SiCMOSFET误导通；其中所述米勒钳位保护模块包括多个输出端的米勒钳位电压设置电路以及多个分压通道的第三开关控制单元；其中每个分压通道的额定分压电阻不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门腾睿微电子科技有限公司 集成米勒钳位保护电路的驱动装置

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