申请/专利权人：昆明船舶设备研究试验中心(中国船舶集团有限公司七五〇试验场)

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117725864A

主分类号：G06F30/33

分类号：G06F30/33;H03K17/687

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种非平坦米勒平台SICMOSFET导通、关断能量损耗的计算方法，该方法主要通过获取SICMOSFET数据表中的相关参数信息，并根据该类型MOSFET所在实际电路的状态信息，具体包括栅极驱动电阻，漏源电压最大值，漏源电流等。然后进行一系列的计算，包括计算输入电容，逆导电容，两个系数K1和K2，漏源电流上升时间，漏源电压下降时间，漏源电压上升时间，漏源电流下降时间等。最后，通过这些数据计算出SICMOSFET的导通能量损耗和关断能量损耗。结合T导通、关断特性，能够准确、全面地评估SICMOSFET的能量损耗。本方法可以准确、快速地计算出非平坦米勒平台SICMOSFET的导通、关断能量损耗，有助于更准确地了解和评估SICMOSFET的性能，提高了实用性和可操作性。

主权项：1.一种非平坦米勒平台SICMOSFET导通、关断能量损耗的计算方法，其特征在于包括以下步骤：步骤S1、基于SICMOSFET的T导通、关断特性，从需要计算的SICMOSFET数据表中获取：Vdrive栅极导通驱动电压；Vdrive,off栅极关断驱动电压；Cgs栅源电容；Cgd栅漏电容；Vth导通门限电压；Vdson导通漏源电压；Vdsoff关断漏源电压；步骤S2、根据需要计算的SICMOSFET所处的实际电路获取：Rg栅极驱动电阻，Vds,max漏源电压最大值，Ids漏源电流；步骤S3、测量或查找SICMOSFET数据表得到米勒平台电压：Vp1，Vp2；步骤S4、根据Ciss＝Cgs+Cgd计算输入电容Ciss；步骤S5、根据Crss＝Cgd计算逆导电容Crss；步骤S6、根据式计算系数K1；步骤S7、计算系数K2；步骤S8、根据式计算漏源电流上升时间tri；步骤S9、根据式： 计算漏源电压下降时间tfv；步骤S10、根据式： 计算漏源电压上升时间trv；步骤S11、根据式计算漏源电流下降时间tfi；步骤S12、根据式计算导通能量损耗Eon；步骤S13：根据式计算关断能量损耗Eoff。

全文数据：

权利要求：

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