申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894827A

主分类号：H01L29/74

分类号：H01L29/74;H01L21/332;H01L29/16

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及一种基于外部电极关断抽取结构的碳化硅晶闸管及其制备方法，该碳化硅晶闸管包括：自下而上依次层叠设置的N型4H‑SiC衬底、P型4H‑SiC缓冲层、P型4H‑SiC漂移层和N型4H‑SiC门极层；设置在N型4H‑SiC门极层和P型4H‑SiC漂移层内部的凹槽；以及P型4H‑SiC阳极区、第一欧姆接触层、钝化层、刻蚀角保护区、P型4H‑SiC抽取区、N型4H‑SiC重掺杂区、第二欧姆接触层和Al接触层。在P型4H‑SiC抽取区上设置的第一欧姆接触层作为控制漂移层与缓冲层的外部控制电极，通过引入外部控制电极，有利于晶闸管在开关或脉冲工作状态下的快速开关，提高了晶闸管的工作频率。

主权项：1.一种基于外部电极关断抽取结构的碳化硅晶闸管，其特征在于，包括：自下而上依次层叠设置的N型4H-SiC衬底、P型4H-SiC缓冲层、P型4H-SiC漂移层和N型4H-SiC门极层；凹槽，设置在所述N型4H-SiC门极层和所述P型4H-SiC漂移层的内部，所述凹槽底部位于所述P型4H-SiC漂移层中；P型4H-SiC阳极区，设置在所述N型4H-SiC门极层的上表面，且位于所述凹槽的两侧；刻蚀角保护区，设置在所述P型4H-SiC漂移层中，且位于所述凹槽的下方和两侧，以对所述凹槽底部的拐角形成包围结构；P型4H-SiC抽取区，设置在所述凹槽底部的P型4H-SiC漂移层的上表面；N型4H-SiC重掺杂区，设置在所述凹槽与所述P型4H-SiC阳极区之间的所述N型4H-SiC门极层的内部，且与所述N型4H-SiC门极层的上表面齐平；第一欧姆接触层，设置在所述P型4H-SiC阳极区的上表面、所述N型4H-SiC重掺杂区的上表面，以及所述P型4H-SiC抽取区的部分上表面且不与所述凹槽的内侧壁接触；钝化层，设置在所述N型4H-SiC门极层上表面未被覆盖的位置处，所述凹槽的内侧壁以及所述P型4H-SiC抽取区上表面未被覆盖的位置处；第二欧姆接触层，设置在所述N型4H-SiC衬底的下表面；Al接触层，设置在所述第二欧姆接触层的下表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 基于外部电极关断抽取结构的碳化硅晶闸管及其制备方法

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