申请/专利权人:清华大学;国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
申请日:2023-12-15
公开(公告)日:2024-04-16
公开(公告)号:CN117892686A
主分类号:G06F30/398
分类号:G06F30/398;G06F30/394
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开
摘要:本申请提出了一种SiCMOSFET仿真模型建模方法,涉及宽禁带功率半导体技术领域,其中,该方法包括:构建SiCMOSFET的仿真模型,其中,仿真模型包括沟道电流源模型和电容模型;获取SiCMOSFET的器件测试数据作为拟合数据集,并基于拟合数据集进行拟合提取,得到SiCMOSFET的模型参数。采用上述方案的本发明的SiCMOSFET模型适用于电路仿真。
主权项:1.一种SiCMOSFET仿真模型建模方法,其特征在于,包括以下步骤:构建SiCMOSFET的仿真模型,其中,所述仿真模型包括沟道电流源模型和电容模型;获取SiCMOSFET的器件测试数据作为拟合数据集,并基于所述拟合数据集进行拟合提取,得到SiCMOSFET的模型参数。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 清华大学;国网陕西省电力有限公司电力科学研究院 SiC MOSFET仿真模型建模方法
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