申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894802A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H01L27/088;H01L21/8234

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明提供了一种接地埋层SiCMOSFET的反向制版结构及其制备方法，包括呈阵列形式的多个SiCMOSFET元胞，所有P+掺杂区从所述N+掺杂区向下均呈柱状且间隔设置，所有p型埋层天然的连接在一起，通过P+掺杂将P型埋层接地，一定程度上缓解了因独立的P型岛屿接地而导致的导通电阻变大的问题。本发明的所有SiCMOSFET元胞的P型埋层天然连接且与P+掺杂区、N+掺杂区具有同一电位，栅极为孔状位于每个元胞中心，在保证较小的导通电阻的同时优化了MOSFET的动态特性。本发明解决了正向制版的MOSFET体内的p型埋层为一个个孤立的岛，接地工艺复杂，接地后导致正向特性变差的问题。

主权项：1.一种接地埋层SiCMOSFET的反向制版结构，其特征在于，包括：呈阵列形式的多个SiCMOSFET元胞，所有SiCMOSFET元胞内均设置有P型埋层、多个P+掺杂区和N+掺杂区；所有P+掺杂区从所述N+掺杂区向下均呈柱状且间隔设置，所有SiCMOSFET元胞的P型埋层共享一起，且与P+掺杂区、N+掺杂区具有同一电位，栅极孔位于所述P型埋层上方的中心区域并与所述P型埋层不相触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 接地埋层SiC MOSFET的反向制版结构及其制备方法

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