申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心;中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894846A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L27/07;H01L21/82

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种低功耗平面栅型碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法。该低功耗平面栅型碳化硅MOSFET功率器件包括特征沟槽，第一导电类型碳化硅衬底、外延层、源区和第一导电类型沟道二极管源区，第二导电类型阱区和第二导电类型沟道二极管阱区。于特征沟槽之中形成沟道二极管控制栅，于第一导电类型碳化硅外延层表面形成栅极电极。本发明器件在反向导通状态下通过沟道二极管续流通路实现单极型导电，避免了体二极管开启，有效提升了器件的反向恢复特性和开关特性。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。

主权项：1.低功耗平面栅型碳化硅MOSFET功率器件，其特征在于，包括，漏极电极；位于所述漏极电极之上的第一导电类型碳化硅衬底；位于所述第一导电类型碳化硅衬底之上的第一导电类型碳化硅外延层；位于所述第一导电类型碳化硅外延层之中的第二导电类型阱区；位于所述第二导电类型阱区之中的第一导电类型源区；所述第一导电类型碳化硅外延层之中的特征沟槽；位于所述第一导电类型碳化硅外延层之中、所述特征沟槽两侧的第二导电类型沟道二极管阱区；位于所述第二导电类型沟道二极管阱区之中、所述特征沟槽两侧的第一导电类型沟道二极管源区；位于所述第一导电类型碳化硅外延层之上的第一介质层；位于所述特征沟槽的两侧侧壁的第二介质层；位于所述特征沟槽的底部的第三介质层；位于所述第一导电类型碳化硅外延层及第一介质层之上的栅极电极，且栅极电极的一侧边缘位于所述第一导电类型源区之上；位于所述特征沟槽之中、所述第二介质层之间的沟道二极管控制栅；位于所述第一导电类型碳化硅外延层之上、且完全包围栅极电极的第四介质层；位于所述第四介质层的两侧及之上的源极电极。

全文数据：

权利要求：

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