申请/专利权人：瑶芯微电子科技(上海)有限公司

申请日：2021-08-30

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113823698B

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/45;H01L21/04;H01L21/329

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.01.07#实质审查的生效;2021.12.21#公开

摘要：本发明公开了一种SiC肖特基功率二极管，包括N型4H‑SiC衬底、P型4H‑SiC隔离层以及厚度为4～6μm的N型4H‑SiC外延层；该外延层中部刻有倒梯形阳极凹槽和隔离槽，两端顶部向内避让形成隔离区；隔离区和隔离槽填满绝缘介质形成电流疏导结构；外延层具有N+注入区和P+注入保护区；还包括：阴极欧姆接触金属层覆盖在N+注入区上；第一钝化层在P+注入保护区上；第二钝化层在阳极凹槽底部；阳极肖特基接触金属层覆盖第一钝化层部分表面、阳极凹槽的表面以及第二钝化层的表面；第三钝化层覆盖第一钝化层的剩余表面，并向两侧金属层延伸。本发明提升了高工作电压下肖特基功率二极管的性能和良率。

主权项：1.一种SiC肖特基功率二极管，其特征在于，包括：N型4H-SiC衬底1；P型4H-SiC隔离层2，堆叠于所述N型4H-SiC衬底1上方；N型4H-SiC外延层3，堆叠于所述P型4H-SiC隔离层2上方；所述N型4H-SiC外延层3的厚度为4μm～6μm；其中，所述N型4H-SiC外延层3沿水平方向的中部刻有倒梯形阳极凹槽和位于所述倒梯形阳极凹槽内角下方的两个隔离槽；所述N型4H-SiC外延层3的两端顶部向内避让形成两个隔离区；所述隔离区和所述隔离槽内均填满绝缘介质4，形成电流疏导结构；每个所述隔离区和所述倒梯形阳极凹槽之间的N型4H-SiC外延层3靠近所述隔离区的部分注有N元素形成N+注入区5，靠近所述倒梯形阳极凹槽的部分注有Al元素形成P+注入保护区6；所述SiC肖特基功率二极管还包括：阴极欧姆接触金属层9，覆盖在所述N+注入区5上方；第一钝化层7，覆盖在所述P+注入保护区6的上方；第二钝化层8，覆盖在所述倒梯形阳极凹槽的底部；阳极肖特基接触金属层10，覆盖在所述第一钝化层7靠近所述倒梯形阳极凹槽的部分表面、所述倒梯形阳极凹槽的表面以及所述第二钝化层8的表面；第三钝化层11，覆盖在所述第一钝化层7的剩余表面，并向两侧相邻的阳极肖特基接触金属层10和阴极欧姆接触金属层9延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 瑶芯微电子科技(上海)有限公司 一种SiC肖特基功率二极管及其制备方法

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