申请/专利权人：西北工业大学

申请日：2024-02-05

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936594A

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/20;H01L29/207;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种具有禁带宽度渐变调制的肖特基二极管及制备方法，二极管包括：衬底层；AlN成核层位于衬底层上；GaN缓冲层位于AlN成核层上；调制层位于器件一端的GaN缓冲层上；其中，调制层包括下层AlGaN调制层、上层AlGaN调制层；下层AlGaN调制层为N型轻掺杂或非故意掺杂，上层AlGaN调制层为N型重掺杂；下层AlGaN调制层中Al组分从GaN缓冲层的表面开始线性渐变递增，上层AlGaN调制层中Al组分从下层AlGaN调制层表面开始线性渐变递减；阳极位于上层AlGaN调制层上；阴极位于器件另一端的GaN缓冲层上。本发明使得器件具有更高反向击穿电压和更好高频特性，可应用在高频太赫兹领域。

主权项：1.一种具有禁带宽度渐变调制的肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括：衬底层；AlN成核层，位于所述衬底层上；GaN缓冲层，位于所述AlN成核层上；调制层，位于器件一端的所述GaN缓冲层上；其中，所述调制层包括位于所述GaN缓冲层上的下层AlGaN调制层、位于所述下层AlGaN调制层上的上层AlGaN调制层；所述下层AlGaN调制层为N型轻掺杂或非故意掺杂，所述上层AlGaN调制层为N型重掺杂，所述上层AlGaN调制层的厚度小于所述下层AlGaN调制层的厚度；所述下层AlGaN调制层中Al组分从GaN缓冲层的表面开始线性渐变递增，所述上层AlGaN调制层中Al组分从下层AlGaN调制层表面开始线性渐变递减；阳极，位于所述上层AlGaN调制层上；阴极，位于器件另一端的所述GaN缓冲层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西北工业大学 一种具有禁带宽度渐变调制的肖特基二极管及制备方法

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