申请/专利权人：上海晶岳电子有限公司

申请日：2023-05-26

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN116404004B

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2023.07.25#实质审查的生效;2023.07.07#公开

摘要：本发明提供了一种SGTMOS工艺TVS器件及其制造方法，包括：基板主体，基板主体包括元胞区、触发区和终端区；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管，TVS管为NPN结构或PNP结构；元胞区及元胞区至触发区包括：形成在外延层中的第二导电类型的基区，形成在基区的第一导电类型的源区，形成在外延层中的相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅；其中第二多晶硅位于第一多晶硅的上方；源区构成MOS管的源极，衬底作为MOS管的漏极，第二多晶硅构成MOS管的栅极和栅极结构，栅极结构与MOS管的栅极相连接；元胞区外的第一多晶硅构成栅极电阻，或者栅极电阻由基区构成。

主权项：1.一种SGTMOS工艺TVS器件，其特征在于，包括：基板主体，所述基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在所述衬底上的同质外延层；所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管，所述TVS管为NPN结构或PNP结构；所述元胞区及所述元胞区至所述触发区包括：形成在所述外延层中的第二导电类型的基区，形成在所述基区的第一导电类型的源区，形成在所述外延层中的相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅；其中所述第二多晶硅位于所述第一多晶硅的上方；形成在所述第一多晶硅、第二多晶硅、所述基区中的与互连金属相接的第二导电类型的体区；所述源区构成所述MOS管的源极，所述衬底作为MOS管的漏极，所述第二多晶硅构成所述MOS管的栅极和所述栅极结构，所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；所述元胞区外的所述第一多晶硅构成所述栅极电阻，或者所述栅极电阻由所述基区构成；所述互连金属使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间；使所述MOS的漏极与所述TVS管的阴极相连；使所述元胞区的所述第一多晶硅与所述MOS管的源极相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海晶岳电子有限公司 一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD