申请/专利权人：无锡中微晶园电子有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878053A

主分类号：H01L21/763

分类号：H01L21/763;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及双向TVS器件技术领域，特别涉及一种双向TVS器件的Trench填充制造工艺。包括如下步骤：步骤一：提供高掺杂浓度的N型衬底以及在N型衬底上生长的P‑外延层；步骤二：在P‑外延层上AS离子注入，形成表面的N型离子注入区；步骤三：在N型离子注入区上进行硅Trench沟槽光刻和腐蚀，并延伸至N型衬底上，其Trench沟槽宽度为1μm，深度为10‑24μm；步骤四：在N型离子注入区表面和Trench沟槽侧壁上生长一层场氧化层FOX；步骤五：对Trench沟槽内继续进行多晶填充，直至将Trench沟槽口掩埋，且同时将N型离子注入区表面的场氧化层FOX覆盖，其覆盖的多晶膜层厚度为0.8μm。本发明是从缩短流通时间、降低产品工艺温度以及减少杂质缺陷而设计。

主权项：1.一种双向TVS器件的Trench填充制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：提供高掺杂浓度的N型衬底以及在N型衬底上生长的P-外延层；步骤二：在P-外延层上AS离子注入，形成表面的N型离子注入区；步骤三：在N型离子注入区上进行硅Trench沟槽光刻和腐蚀，并延伸至N型衬底上，其Trench沟槽宽度为1μm，深度为10-24μm；步骤四：在N型离子注入区表面和Trench沟槽侧壁上生长一层场氧化层FOX；步骤五：对Trench沟槽内继续进行多晶填充，直至将Trench沟槽口掩埋，且同时将N型离子注入区表面的场氧化层FOX覆盖，其覆盖的多晶膜层厚度为0.8μm；步骤六：采用干法腐蚀工艺，去除Trench沟槽区域外的覆盖多晶膜层，且Trench沟槽填充完成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡中微晶园电子有限公司 一种双向TVS器件的Trench填充制造工艺

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