申请/专利权人：深圳市尚鼎芯科技有限公司

申请日：2023-09-26

公开（公告）日：2023-12-01

公开（公告）号：CN117153689A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.19#实质审查的生效;2023.12.01#公开

摘要：本发明公开了一种低漏电流的TrenchMOS器件的制备方法，涉及到TrenchMOS器件的制备方法领域，具体包括以下操作步骤：S1、选择晶圆，在晶圆上淀积硬掩膜层，光刻形成硬掩膜层开窗，进一步刻蚀硅片形成沟槽，去除硬掩膜层；S2、牺牲氧化层生长及刻蚀，栅极氧化层生长；S3、栅极多晶硅淀积及回刻，并去除表面部分栅氧化层；S4、P‑body区硼离子注入及退火，硼离子注入采用3次注入，以增加沟道长度，第一次注入采用低能量高剂量注入，第二次注入采用中等能量低剂量注入，第三次注入采用高能量低剂量注入。本发明采用P‑body三次注入，通过降低NPN三极管的共发射电流增益，来降低ICEO电流，使得IDSS漏电主要来源于P‑bodyN‑drift形成的PN结反向漏电流，实现低IDSS的漏电流设计。

主权项：1.一种低漏电流的TrenchMOS器件的制备方法，其特征在于：具体包括以下操作步骤：S1、选择晶圆，在晶圆上淀积硬掩膜层，光刻形成硬掩膜层开窗，进一步刻蚀硅片形成沟槽，去除硬掩膜层；S2、牺牲氧化层生长及刻蚀，栅极氧化层生长；S3、栅极多晶硅淀积及回刻，并去除表面部分栅氧化层；S4、P-body区硼离子注入及退火，硼离子注入采用3次注入，以增加沟道长度，第一次注入采用低能量高剂量注入，第二次注入采用中等能量低剂量注入，第三次注入采用高能量低剂量注入，退火采用低温短时间退火工艺，形成均匀的沟道浓度分布，由于P-body第一次注入剂量受S5中N+注入剂量影响，P型掺杂会被N型掺杂中和，故第一次注入剂量采用高剂量注入；S5、源级N+光刻，进行砷离子注入及退火，砷离子采用低能量低剂量注入，以增加P-body区沟道长度；S6、进行ILD淀积；S7、刻蚀形成接触孔，并进行P+注入及退火；S8、溅射正面金属，光刻形成栅电极和源电极，钝化层淀积及刻蚀；S9、晶圆背面减薄及蒸发背面金属，形成漏端电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市尚鼎芯科技有限公司 一种低漏电流的Trench MOS器件的制备方法

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