申请/专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司

申请日：2021-10-15

公开（公告）日：2024-01-05

公开（公告）号：CN113964039B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.05#授权;2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.21#公开

摘要：本发明提出一种新的自对准结构的功率TrenchMOSFET，其Trench槽和接触孔接触沟槽由一张掩模版确定，能极大地缩小TrenchPitch的间距即相邻Trench槽之间的间距。

主权项：1.一种新型自对准功率TrenchMOSFET制作方法，其特征在于，包括如下步骤：Step1：在衬底正上表面外延形成外延区；Step2：在所述外延区的正上表面注入硼离子形成主体区；Step3：在所述主体区上淀积形成第一介质层；Step4：所述第一介质层刻蚀形成沟槽，所述沟槽穿过所述主体区至所述外延区；Step5：对沟槽进行氧化并填充多晶硅形成栅极，并在多晶硅与沟槽之间形成一栅极绝缘区，所述多晶硅覆盖所述第一介质层；Step6：刻蚀掉所述第一介质层上的所述多晶硅，且沟槽里的多晶硅的表面需低于第一介质层的表面，多晶硅的表面可与外延层表面平行，或者低于外延层表面，或者高于外延层表面；Step7：淀积第二介质层覆盖所述第一介质层和所述沟槽里的多晶硅；Step8：刻蚀掉所述第一介质层上的所述第二介质层，仅保留所述沟槽多晶硅上的第二介质层；Step9：完全除去第一介质层；Step10：于所述主体区上掺杂离子形成源极区；Step11：淀积第三介质层，所述第三介质层覆盖所述源极区和所述第二介质层；Step12:无掩模版刻蚀第三介质层并于所述第二介质层及多晶硅侧壁形成侧墙；Step13:于所述源极区刻蚀形成接触沟槽，所述接触沟槽穿过所述源极区至所述主体区；Step14:于所述接触沟槽注入硼离子形成所述主体区的接触区域；Step15:于所述Step14形成的晶圆结构正面进行金属溅射或蒸发，形成金属化层，所述金属化层覆盖所述接触区域、所述侧墙、所述第二介质层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海朕芯微电子科技有限公司 一种新型自对准功率Trench MOSFET制作方法及其结构

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