申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2020-08-28

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN112016261B

主分类号：G06F30/367

分类号：G06F30/367

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：本发明提供了一种MOSFET阈值电压的SPICE子电路模型建模方法，包括：建立MOSFET阈值电压SPICE子电路模型，所述MOSFET阈值电压SPICE子电路模型包括：底数沟道长度修正项参数、线性修正项参数和幂指数项参数；调整所述底数沟道长度修正项参数、线性修正项参数和幂指数项参数使得在实测数据不规则情况下对MOSFET的阈值电压随尺寸变化的特性进行拟合后得到高精度的模型。在本发明提供的一种MOSFET阈值电压的SPICE子电路模型建模方法中，建立子电路模型对MOSFET阈值电压的数据进行处理，可以在数据不规则情况下对MOSFET阈值电压随尺寸变化的特性数据进行高精度拟合。

主权项：1.一种MOSFET阈值电压的SPICE子电路模型建模方法，其特征在于，包括：建立MOSFET阈值电压SPICE子电路模型，所述MOSFET阈值电压SPICE子电路模型包括：底数沟道长度修正项参数、线性修正项参数和幂指数项参数；调整所述底数沟道长度修正项参数、线性修正项参数和幂指数项参数使得使得在数据不规则情况下，子电路模型对MOSFET的阈值电压随尺寸变化的趋势实测数据可以进行高精度拟合；调整所述底数沟道长度修正项参数、线性修正项参数和幂指数项参数包括：调整子电路模型的底数沟道长度修正项参数，以使得第一长度的沟道的MOS器件阈值电压的模型发生变化；调整子电路模型的线性修正项参数，以使得第二长度的沟道的MOS器件阈值电压的模型发生变化；调整子电路模型的幂指数项参数，以使得第三长度的沟道的MOS器件阈值电压的模型发生变化同时，使得第一长度的沟道的MOS器件阈值电压模型发生变化，并且第一长度的沟道的MOS器件阈值电压模型变化的幅度大于第三长度的沟道的MOS器件阈值电压的模型变化的幅度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 MOSFET阈值电压的SPICE子电路模型建模方法

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