申请/专利权人：芯众享(成都)微电子有限公司

申请日：2024-03-20

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936570A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了局部加厚栅介质的平面型分裂栅SiCMOSFET器件及其制造方法，包括：通过淀积掩膜层并通过光刻‑刻蚀工艺转移mask图形至晶圆，用高能离子注入形成P‑base区、N+区和P+区，用高温退火激活掺杂离子；通过淀积二氧化硅或硅，并通过光刻‑刻蚀工艺转移mask图形至晶圆，形成二氧化硅层或硅层；通过对二氧化硅层或硅层进行热氧化处理，形成一层栅氧层，并在该栅氧层上通过淀积多晶硅层，刻蚀形成一对栅极结构；通过淀积USG和BPSG绝缘层，刻蚀源孔与栅孔；通过淀积接触金属，并使源极、漏极的接触图形化，并使SiC表面各电极形成欧姆接触；在电极金属表面沉积并形成表面保护层。

主权项：1.一种局部加厚栅介质的平面型分裂栅SiCMOSFET制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：准备N-Wafer晶圆；步骤2：通过淀积掩膜层并通过光刻-刻蚀工艺转移mask图形至N-Wafer晶圆，使用高能离子注入形成高掺杂的P-base区、N+区和P+区，利用高温退火激活掺杂离子；步骤3：通过淀积二氧化硅或硅，并通过光刻-刻蚀工艺转移mask图形至N-Wafer晶圆，形成二氧化硅层或硅层，该二氧化硅层或硅层的左、右两侧呈斜坡状的边缘结构；步骤4：通过对二氧化硅层或硅层进行热氧化处理，均匀形成一层栅氧层，并在该栅氧层上均匀淀积一层多晶硅层，通过刻蚀去除掉位于所述二氧化硅层或硅层的左、右两侧边缘结构之间的二氧化硅层或硅层部分、栅氧层部分以及多晶硅层部分，以形成一对栅极结构；步骤5：通过淀积USG和BPSG绝缘层，刻蚀源孔与栅孔；步骤6：通过淀积接触金属，并使源极、漏极的接触图形化，并使SiC表面各电极形成良好的欧姆接触；步骤7：在电极金属表面沉积并形成表面保护层。

全文数据：

权利要求：

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