申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

申请日：2020-12-01

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112731091B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.05.21#实质审查的生效;2021.04.30#公开

摘要：本发明涉及SiCMOSFET试验技术领域，公开了一种SiCMOSFET功率循环试验方法和试验电路，包括确定SiCMOSFET的沟道关断电压值和沟道导通电压值；在功率循环试验中，根据沟道导通电压值和沟道关断电压值分别将SiCMOSFET的栅源电压设置为第一电压和第二电压，以使SiCMOSFET在导通时间内升温或在关断时间内降温。监测导通瞬间和关断瞬间SiCMOSFET的结温变化，并根据结温变化判断SiCMOSFET的退化状况。通过预先获取SiCMOSFET的沟道关断电压值，保证在功率循环试验中SiCMOSFET的沟道完全关断，防止因SiCMOSFET的沟道未完全关断而导致结温监测不准确的问题。同时，保证在一个试验循环周期内SiCMOSFET器件经历同样的正偏压应力和负偏压应力，以减少阈值电压漂移导致的结温监测不准确问题。

主权项：1.一种SiCMOSFET功率循环试验方法，其特征在于，包括：确定SiCMOSFET的沟道关断电压值和沟道导通电压值；根据所述沟道导通电压值，将所述SiCMOSFET的栅源电压设置为第一电压，所述第一电压使得所述SiCMOSFET的沟道导通，并向所述SiCMOSFET提供加热电流，使所述SiCMOSFET在导通时间内升温；根据所述沟道关断电压值，将所述SiCMOSFET的栅源电压设置为第二电压，所述第二电压使得所述SiCMOSFET的沟道关断，使所述SiCMOSFET在关断时间内降温，并向所述SiCMOSFET的反向体二极管提供感应电流；监测所述SiCMOSFET在导通瞬间和关断瞬间的结温变化，根据所述结温变化判断所述SiCMOSFET的退化状况；所述SiCMOSFET包括反向体二极管，所述确定SiCMOSFET的沟道关断电压值，包括：向所述SiCMOSFET施加不同电压值的栅源电压；获取在不同栅源电压下所述反向体二极管导通电压与导通电流的导通特性曲线；当所述导通特性曲线不再变化时，此时所述栅源电压的电压值为所述沟道关断电压值；所述SiCMOSFET功率循环试验方法还包括：在功率循环试验期间，使所述SiCMOSFET在一个试验循环周期内经历同样的正偏压应力和负偏压应力，以减少阈值电压漂移。

全文数据：

权利要求：

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