申请/专利权人：上海贝岭股份有限公司

申请日：2022-08-24

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117672852A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本发明公开了一种TrenchMOS器件及其制造方法，所述制造方法包括：S1.提供一衬底；S2.在所述衬底一表面上淀积LPTEOS，并对所述表面进行刻蚀，形成沟槽；S3.以剩余所述LPTEOS作为掩蔽层，在沟槽底部进行N型重掺杂得到N型半导体层，随后去除所述掩蔽层；S4.在所述衬底的表面和所述沟槽内形成第一氧化层；S5.在所述第一氧化层的表面进行淀积，形成淀积层；S6.对所述衬底采用杂质注入，形成杂质注入区。本发明实现阻止body区域连成一片，有利于TrenchMOS器件的开启，简化了制作工艺，有效地减小了TrenchMOS器件的导通电阻的同时保证击穿电压的稳定性。

主权项：1.一种TrenchMOS器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：S1.提供一衬底；S2.在所述衬底一表面上淀积LPTEOS，并对所述表面进行刻蚀，形成沟槽；S3.以剩余所述LPTEOS作为掩蔽层，在沟槽底部进行N型重掺杂得到N型半导体层，随后去除所述掩蔽层；S4.在所述衬底的表面和所述沟槽内形成第一氧化层；S5.在所述第一氧化层的表面进行淀积，形成淀积层；其中，所述淀积层中包括第一杂质；所述第一杂质的杂质类型与所述衬底对应的杂质类型一致；S6.对所述衬底采用杂质注入，形成杂质注入区；其中，所述杂质注入区分别位于所述沟槽两侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海贝岭股份有限公司 Trench MOS器件及其制造方法

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