申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

申请日：2023-11-03

公开（公告）日：2024-01-16

公开（公告）号：CN117410183A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L21/324

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开

摘要：本发明公开一种抗辐射trench型MOSFET的制造方法，属于半导体功率器件领域，主要工艺特征有：阱区注入在沟槽刻蚀前，利用源极沟槽的牺牲氧化工艺的热过程对阱区进行推结处理，避免栅氧工艺后有高温热过程，提升产品的抗总剂量性能；利用两次沟槽刻蚀，其中源极沟槽对外延层调制，实现降低导通电阻，栅极沟槽实现对沟道控制；对栅沟槽底部进行局部氧化加厚，增加器件抗单粒子栅穿的能力。本发明通过优化工艺步骤和工艺流程，在工艺难度和制造成本增加有限的情况下，可以实现加工出具有抗辐射特性trench型MOSFET产品，在商用trench型MOSFET器件的基础上实现抗辐射性能加固，满足元器件在航天领域的使用环境。

主权项：1.一种抗辐射trench型MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：在硅外延片上生长第一氧化硅层，通过离子注入工艺，实现P阱注入，淀积第一氮化硅层形成外延硅-氧化硅-氮化硅三层薄膜结构；通过沟槽光刻和腐蚀工艺在圆片上挖出第一trench沟槽，利用热氧化工艺生长场氧化层和淀积原位多晶；通过多晶回刻工艺刻蚀掉沟槽以外区域的多晶；在圆片上再次挖出第二trench构槽，淀积一层氧化层和第二氮化硅层；利用磷酸工艺拔除第一氮化硅层、第二氮化硅层和侧壁薄氧化层，保证底部氧化加厚部分被保留下来；生长栅氧化，淀积原位多晶，通过栅多晶回刻工艺刻蚀掉硅表面多晶；实现源极注入并激活，做好介质ILD的淀积和平坦化处理；利用孔光刻先进行第一步介质孔腐蚀和硅孔腐蚀，利用孔注入把P型杂质掺杂到深体区域，再通过热激活形成体区引出；利用钨填充和研磨，实现接触孔金属引出，通过金属METAL淀积，光刻和腐蚀，实现金属互联。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种抗辐射trench型MOSFET的制造方法

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