申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-08-31

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN112054062B

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2020.12.25#实质审查的生效;2020.12.08#公开

摘要：本发明公开了一种SOIMOSFET器件及其制备方法，器件包括：位于埋氧层上的有源区和栅极；设置于有源区边缘，并沿栅极的宽度方向向两侧延伸的部分隔离区，部分隔离区与埋氧层之间间隔有部分有源区；设置于器件最外侧的浅槽隔离区；设置于浅槽隔离区和部分隔离区之间的体接触区，从体接触区底部至埋氧层设置有深注入区，深注入区连接体接触区和有源区。本发明提供的器件及方法，用以解决现有技术中的SOI器件边缘漏电的技术问题。实现了改善SOI器件边缘漏电的技术效果。

主权项：1.一种SOIMOSFET器件，其特征在于，包括：位于埋氧层上的有源区和栅极，所述有源区内设置有源区和漏区；设置于所述有源区边缘，并沿所述栅极的宽度方向向两侧延伸的部分隔离区，所述部分隔离区与所述埋氧层之间间隔有部分所述有源区；设置于所述器件最外侧的浅槽隔离区；设置于所述浅槽隔离区和所述部分隔离区之间的体接触区，从所述体接触区底部至所述埋氧层设置有深注入区，所述深注入区连接所述体接触区和所述有源区；其中，所述深注入区、所述体接触区和所述有源区的掺杂类型相同，所述源区和所述漏区均与所述有源区的掺杂类型不相同；所述深注入区的掺杂浓度和所述体接触区的掺杂浓度均大于所述有源区的掺杂浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种SOI MOSFET器件及其制备方法

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