申请/专利权人：无锡中微晶园电子有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747705A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/107

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开一种采用trench钝化策略的硅光电倍增管阵列单元制备方法，属于半导体工艺领域。在硅衬底上依次形成第一掺杂区域和第一氧化层，进行第一次光刻，腐蚀后形成第二掺杂区域；在第二掺杂区域内进行第二次光刻，定义出雪崩区，腐蚀后形成第三掺杂区域；在非第二掺杂区域内进行第三次光刻，定义出隔离槽；向隔离槽内通入POCl3气体，定义出隔离槽内部为第四掺杂区域，炉管退火使第四掺杂区域充分掺杂；在第二掺杂区域内进行第四次光刻，制备出接触孔，淀积金属后进行第五次光刻，腐蚀出正面金属电极；在硅衬底背面淀积背面金属电极。本发明的工艺简单，对半导体设备的能力要求较低，通过简单的掺杂即可完成隔离槽钝化，屏蔽硅槽工艺造成的界面损伤。

主权项：1.一种采用trench钝化策略的硅光电倍增管阵列单元制备方法，其特征在于，包括：步骤1：在硅衬底上依次形成第一掺杂区域和第一氧化层，进行第一次光刻，腐蚀后形成第二掺杂区域；步骤2：在第二掺杂区内域进行第二次光刻，定义出雪崩区，腐蚀后形成第三掺杂区域；步骤3：在非第二掺杂区域内进行第三次光刻，定义出隔离槽，腐蚀后形成第四掺杂区域，使用HF溶液清洗表面；步骤4：向隔离槽内通入POCl3气体，使得隔离槽内部充分掺杂；步骤5：高温退火生长第二氧化层，使得P离子掺杂入隔离槽内部，改变隔离槽表面的极性；步骤6：在第二掺杂区域内进行第四次光刻，制备出接触孔，淀积金属后进行第五次光刻，腐蚀出正面金属电极；步骤7：在硅衬底背面淀积背面金属电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡中微晶园电子有限公司 一种采用trench钝化策略的硅光电倍增管阵列单元制备方法

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