申请/专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司

申请日：2019-09-24

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112805405B

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;C23C16/34;C23C16/56;H01L21/02

优先权：["20180924 US 62/735,603"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.06.01#实质审查的生效;2021.05.14#公开

摘要：用于沉积高质量的氮化硅的组合物引入含有衬底的反应器中，接着引入包括氨源的等离子体。所述组合物包括具有如本文中限定的式I的硅前体化合物。

主权项：1.一种通过等离子体增强ALD工艺形成氮化硅或碳掺杂的氮化硅的方法，所述方法包括：a）在反应器中提供包含表面特征的衬底；b）向所述反应器中引入具有下式I的具有一个C2-3亚烷基连接的硅前体化合物：R3-nXnSi-R1-SiXmR23-mI其中X=Cl、Br或I；n=1、2或3；m=1、2或3；R和R2各自独立地选自氢原子，以及C1至C3烷基基团；R1是具有2至10个碳原子的C2-3亚烷基基团，其中所述硅前体在所述衬底的至少一部分表面特征上反应以提供化学吸附层；c）使用惰性气体吹扫所述反应器中任何未反应的硅前体和或任何反应副产物；d）向所述反应器中提供包含氨源的等离子体以与所述化学吸附层反应而形成任选碳掺杂的氮化硅膜；和e）使用惰性气体吹扫所述反应器中来自步骤d的任何进一步的反应副产物；其中重复步骤b至e，直至沉积所需厚度的氮化硅膜；并且其中将所述反应器维持在25℃至600℃范围的一个或多个温度下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于制备含硅和氮的膜的方法

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