申请/专利权人：厦门芯达茂微电子有限公司

申请日：2024-01-24

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747668A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种SiCTrenchMOSFET器件及其制备方法。SiCTrenchMOSFET器件包括衬底、漂移区、基区、源区和栅极。衬底具有相对的第一表面和第二表面；漂移区形成于第一表面上，漂移区上具有一沟槽，沟槽具有一容腔；基区形成于漂移区上且位于沟槽的外侧；源区形成于基区的上表面的局部区域内且位于沟槽的外侧；栅极设置于容腔内且与槽壁之间具有栅氧化层，栅极通过栅氧化层分别与漂移区、基区和源区相区隔；其中，漂移区的内部设置有至少一个离子区，离子区包覆沟槽位于漂移区的外侧。采用这种SiCTrenchMOSFET器件能够减轻沟槽底部的电场集中，从而提升器件的可靠性。

主权项：1.一种SiCTrenchMOSFET器件，其特征在于，包括：衬底（100），具有相对的第一表面（110）和第二表面（120），所述衬底（100）具有第一导电类型；漂移区（200），形成于所述第一表面（110）上，所述漂移区（200）具有第二导电类型；沟槽（210），形成于所述漂移区（200）上并向上延伸，且裸露出所述漂移区（200）的部分表面；所述沟槽（210）具有一容腔（211）；基区（300），形成于所述漂移区（200）上且位于所述沟槽（210）的外侧，所述基区（300）具有第三导电类型；源区（400），形成于所述基区（300）的上表面的部分区域内且位于所述沟槽（210）的外侧，所述源区（400）具有第四导电类型；栅极（500），设置于所述容腔（211）内且与槽壁（212）之间具有栅氧化层（510），所述栅极（500）通过栅氧化层（510）分别与所述漂移区（200）、基区（300）和源区（400）相区隔；其中，所述漂移区（200）内部设置有离子区（220），所述离子区（220）包覆所述沟槽（210）位于所述漂移区（200）的外侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门芯达茂微电子有限公司 一种SiC Trench MOSFET器件及其制备方法

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