申请/专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117612942A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：本发明提供了一种TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法，包括：提供一衬底，包括若干接触孔区域；在所述衬底上形成若干栅极沟槽、栅极多晶硅层、第一接触孔柱、体区离子注入区、源区离子注入区、栅极氧化层以及层间介质层；以所述层间介质层为掩膜，刻蚀所述第一接触孔柱以及其底部的部分所述体区离子注入区，直至第一深度，并刻蚀部分所述栅极多晶硅层直至第一深度，以在所述接触孔区域与部分所述栅极多晶硅层中形成接触孔。本发明提供的技术方案进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸。

主权项：1.一种TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；其中，所述衬底中包括若干接触孔区域；在所述衬底上形成若干栅极沟槽、栅极多晶硅层、第一接触孔柱、体区离子注入区、源区离子注入区、栅极氧化层以及层间介质层；其中，若干所述栅极沟槽沿第一方向依次排列；所述接触孔区域形成于所述栅极沟槽之间；所述第一方向平行于所述衬底的表面；所述栅极多晶硅层填充于所述栅极沟槽中；所述第一接触孔柱形成于所述接触孔区域的所述衬底的表面；所述体区离子注入区与所述源区离子注入区均形成于所述栅极沟槽沿第一方向两侧的所述衬底中，以及所述第一接触孔柱中；且沿第二方向依次排列；其中，所述源区离子注入区形成于所述衬底与所述第一接触孔柱的表层中；所述第二方向垂直于所述第一方向；所述栅极氧化层形成于所述栅极多晶硅层与所述衬底之间，所述栅极多晶硅层与所述体区离子注入区之间，且包裹所述源区离子注入区，且暴露出所述第一接触孔柱的表面；所述层间介质层覆盖所述栅极沟槽之间的所述栅极氧化层表面，以及所述栅极多晶硅层的表面，且暴露出所述第一接触孔柱的表面；以所述层间介质层为掩膜，刻蚀所述第一接触孔柱以及其底部的部分所述体区离子注入区，直至第一深度，并刻蚀部分所述栅极多晶硅层直至第一深度，以在所述接触孔区域与部分所述栅极多晶硅层中形成接触孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海芯导电子科技股份有限公司 Trench MOSFET器件的自对准的制备方法

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