申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-10-26

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117956798A

主分类号：H10B41/27

分类号：H10B41/27;H10B41/30;H10B43/27;H10B43/30

优先权：["20221028 KR 10-2022-0140983"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.30#公开

摘要：一种半导体存储器件可以包括：衬底；在衬底上在第一方向上延伸的位线；在第二方向上延伸以与位线交叉的第一字线和第二字线；在第一字线和第二字线之间在第二方向上延伸的背栅电极；设置在第一和第二字线与背栅电极之间并且连接到位线的第一和第二有源图案；分别联接到第一和第二有源图案的接触图案；在接触图案和背栅电极之间的第一背栅极覆盖图案；以及在接触图案与第一和第二字线之间的第一栅极覆盖图案。第一背栅极覆盖图案和第一栅极覆盖图案可以具有第一接缝和第二接缝，第一接缝和第二接缝在第二方向上延伸并且位于不同的垂直水平处。

主权项：1.一种半导体存储器件，包括：衬底；位线，设置在所述衬底上并在第一方向上延伸；第一字线和第二字线，在第二方向上延伸以与所述位线交叉；背栅电极，设置在所述第一字线和所述第二字线之间并在所述第二方向上延伸；第一有源图案，设置在所述第一字线和所述背栅电极之间并且连接到所述位线；第二有源图案，设置在所述第二字线和所述背栅电极之间并且连接到所述位线；接触图案，分别联接到所述第一有源图案和所述第二有源图案；第一背栅极覆盖图案，在所述接触图案与所述背栅电极的顶表面之间；和第一栅极覆盖图案，在所述接触图案与所述第一字线和所述第二字线的顶表面之间，其中：所述第一背栅极覆盖图案具有形成在其中并在所述第二方向上延伸的第一接缝，每个所述第一栅极覆盖图案具有形成在其中并在所述第二方向上延伸的第二接缝，以及所述第一接缝和所述第二接缝位于不同的垂直水平处。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器件

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