申请/专利权人：浙江大学杭州国际科创中心

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936583A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/20;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种基于砷化镓的MOSFET及其制备方法，涉及半导体MOSFET制造领域。其中，在制备MOSFET中的源、漏优化包括：在制备源端和沟道的结时，采用与衬底砷化镓掺杂相反的杂质分凝肖特基结，以提高源端区域的载流子注入电流速度和浓度，进而提高器件的驱动电流。同时在制备漏端和沟道的结时，采用与衬底砷化镓掺杂相同的杂质分凝肖特基结，以减小漏端区域的电场强度，进而减小高速载流子对晶格的碰撞，减少热电子效应HCI，增强器件可靠性。本发明能够通过调节源、漏区域和沟道的肖特基结的势垒高度，有效提升宽禁带半导体衬底器件的驱动电流，同时提高其寿命和可靠性。

主权项：1.一种基于砷化镓的MOSFET，包括掺杂的砷化镓衬底、在砷化镓衬底上形成的源端和漏端，以及位于砷化镓衬底上位于源端和漏端之间的绝缘层，绝缘层上形成有金属栅层，使用时，所述源端和漏端分别作为源极和漏极，所述金属栅层作为栅极，其特征在于，所述源端是与砷化镓衬底类型相反掺杂的杂质分凝式的肖特基结，所述漏端是与砷化镓衬底类型相同掺杂的杂质分凝式的肖特基结。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学杭州国际科创中心 一种基于砷化镓的MOSFET及其制备方法

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