申请/专利权人：新南创新有限公司

申请日：2022-08-12

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117941027A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/683;H01L27/088;H01L29/24;H01L29/66;H01L29/78;H01L29/22

优先权：["20210812 AU 2021902514","20220217 AU 2022900344"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.26#公开

摘要：本文说明了一种电子器件，该电子器件包括：非导电固态衬底；多个电极；至少一个高k值介电膜，其中该介电膜被形成为自支撑膜；以及至少一个半导体沟道层；其中所述介电膜和所述半导体沟道层在所述介电膜与所述半导体沟道层之间形成一个范德华界面。还说明了相关的方法和通过该方法形成的器件。

主权项：1.一种电子器件，包括：非导电固态衬底；多个电极；至少一个高k值介电膜，其中该介电膜被形成为自支撑膜；以及至少一个半导体沟道层；其中所述介电膜和所述半导体沟道层在所述介电膜与所述半导体沟道层之间形成一个范德华界面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新南创新有限公司 电子器件和形成电子器件的方法

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