申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2020-05-08

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN112310040B

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H10B63/00;G11C13/00

优先权：["20190731 KR 10-2019-0093465"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.02.02#公开

摘要：提供了一种存储器件。一种存储器件包括：存储单元阵列，其具有可变电阻存储单元，所述可变电阻存储单元耦接到在第一方向上延伸的第一导线以及与第一导线交叉的第二导线，并设置在第一导线与第二导线之间；以及选择电路，其被配置为选择第一导线。第二导线包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的直导线，以及通过直导线与选择电路间隔开的第一弯曲导线，第一弯曲导线彼此平行地延伸并且具有L形状。

主权项：1.一种存储器件，包括：存储单元阵列，其具有可变电阻存储单元，所述可变电阻存储单元耦接到在第一方向上延伸的第一导线以及与所述第一导线交叉的第二导线，并设置在所述第一导线与所述第二导线之间；以及选择电路，其被配置为选择所述第一导线，其中，所述第二导线包括：在第二方向上延伸的直导线，所述第二方向与所述第一方向交叉；以及第一弯曲导线，其通过所述直导线与所述选择电路间隔开，所述第一弯曲导线彼此平行地延伸并且具有L形状，其中，所述第一弯曲导线的弯曲点以不同的距离与所述第一导线中的每一个间隔开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 存储器件

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