申请/专利权人：山东强茂电子科技有限公司

申请日：2024-03-06

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832289A

主分类号：H01L29/861

分类号：H01L29/861;H01L21/225;H01L29/43;H01L29/417;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开一种新型TVS晶粒结构及其制备方法，属于半导体元件技术领域，包括N‑基板，所述N‑基板的上下两侧分别设有P+层和N+层，所述N‑基板的上方形成有沟槽，所述沟槽贯穿P+层，所述沟槽的槽体的表面设有二氧化硅层，二氧化硅的上方设有玻璃层，所述玻璃层的上方设有低温氧化层。本发明通过选择研磨片当底材、采用纸源及单沟刀刮法结构进行掺杂工艺、选择适当的金属堆叠结构并进行热氧化处理，实现了无需无尘室、无晶圆减薄工艺和单一生产流程制备的晶粒结构。

主权项：1.一种新型TVS晶粒结构，其特征在于：包括N-基板（6），所述N-基板（6）的上下两侧分别设有P+层（4）和N+层（7），所述N-基板（6）的上方形成有沟槽，所述沟槽贯穿P+层（4），所述沟槽的槽体的表面设有二氧化硅层（5），二氧化硅层（5）的上方设有玻璃层（3），所述玻璃层（3）的上方设有低温氧化层（2）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东强茂电子科技有限公司 新型TVS晶粒结构及其制备方法

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