申请/专利权人：盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司

申请日：2023-10-17

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917749A

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32;H01L21/67

优先权：["20221020 KR 10-2022-0135729"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本发明提供一种基板处理装置，即使因第一供气管和第二供气管的尺寸和组装公差带来的流动阻力的偏差，导致第一供气管和第二供气管中提供的工艺气体的单位时间供给量互相不同，也能够通过将从配置于工艺腔室下部的一个气体供给源延伸的第一垂直供应管和第二垂直供应管在腔体的上侧区域进行相互连通的连接管，最小化各工艺腔室中提供的工艺气体的单位时间供给量的偏差，从而能够均匀地调节第一工艺腔室和第二工艺腔室中提供的工艺气体的单位时间供给量。

主权项：1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：第一工艺腔室，其通过向配置于第一内部空间的第一基板的上侧提供工艺气体，以进行所述第一基板的处理工艺；第二工艺腔室，其与所述第一工艺腔室并排配置，通过向配置于第二内部空间的第二基板的上侧提供工艺气体，以进行所述第二基板的处理工艺；第一供气管，其从气体供给源向所述第一工艺腔室提供工艺气体；第二供气管，其从所述气体供给源向所述第二工艺腔室提供工艺气体；连接管，其用于连通所述第一供气管与所述第二供气管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 具有多个工艺腔室的基板处理装置

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