申请/专利权人：无锡锡产微芯半导体有限公司

申请日：2023-12-06

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117352557B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.01.23#实质审查的生效;2024.01.05#公开

摘要：本申请公开了一种集成式SGTMOSFET及其制备工艺，涉及SGTMOSFET的技术领域。本申请将一个或多个SGT沟槽与一个或多个T沟槽设置在一个集成部件中，其中，T沟槽设置在SGT沟槽的一侧或者两个SGT沟槽之间，T沟槽的第二栅氧层的厚度小于SGT沟槽第一栅氧层的厚度，导致T沟槽的电压小于正向偏压时所述阱区处形成的PN结的开启电压。本申请的集成式SGTMOSFET反向恢复时通过开启T沟槽沟道，提前降低电荷浓度，从而有效提高二极管的反向恢复能力。

主权项：1.一种集成式SGTMOSFET，其特征在于，包括：漏极（6）；衬底（1），形成在所述漏极（6）的一侧；外延层（2），形成在衬底（1）的一侧，与所述漏极（6）的设置方向相对；所述外延层（2）背离所述衬底（1）一侧形成阱区（5）；所述阱区（5）背离所述外延层（2）一侧形成源极（7）；在所述外延层（2）形成源极（7）的一端，设置一个或多个SGT沟槽（3）及一个或多个T沟槽（4），所述一个或多个T沟槽（4）设置于所述一个或多个SGT沟槽（3）的一侧；所述一个或多个SGT沟槽（3）与所述T沟槽（4）从所述源极方向，穿透所述源极（7）与所述阱区（5），到达所述外延层（2），形成沟槽；所述SGT沟槽（3）的沟槽表面靠近所述衬底方向形成第一场绝缘层（34），靠近源极（7）方向形成第一栅氧层（31）；所述第一场绝缘层（34）内部形成屏蔽栅（32），所述第一栅氧层（31）的内部形成SGT栅极（33），所述屏蔽栅（32）与SGT栅极（33）之间形成隔离介电层（35）；所述T沟槽（4）的沟槽表面靠近所述衬底方向形成第二场绝缘层（42），靠近源极（7）方向形成第二栅氧层（41）；所述第二场绝缘层（42）与所述第二栅氧层（41）之间形成T字栅极（43）；其中，所述第二栅氧层（41）的厚度小于所述第一栅氧层（31）的厚度，并且，所述屏蔽栅（32）与所述T字栅极（43）电学短接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡锡产微芯半导体有限公司 一种集成式SGT MOSFET及其制备工艺

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