申请/专利权人：重庆平伟实业股份有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117825852A

主分类号：G01R31/00

分类号：G01R31/00;G01R31/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其包括：控制模块用于提供第二控制信号，并将第二控制信号传输至运放模块；控制模块用于输出电压信号至第一开关模块；运放模块用于对第二控制信号进行处理；第一开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；第二开关模块用于将处理后的第二控制信号传输给测试模块；测试模块用于连接待测P型MOSFET，并测试待测P型MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的打开或关闭，并接收第一数据信号，并根据第一数据信号输出第二数据信号至测试模块。本发明还提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。

主权项：1.一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其特征在于，包括控制模块、运放模块、第一开关模块、第二开关模块、测试模块、采样模块以及第二电源模块，其中，所述控制模块与所述运放模块以及所述第一开关模块电性连接，并与所述第二电源模块进行信息交互，用于提供第二控制信号，并将所述第二控制信号传输至所述运放模块；所述控制模块用于输出电压信号至所述第一开关模块；所述控制模块用于提供开关控制信号，并将所述开关控制信号传输至所述第二电源模块，并输出第一数据信号至所述第二电源模块；所述运放模块均与所述第一开关模块、所述第二开关模块、所述测试模块、所述采样模块以及所述第二电源模块电性连接，用于对所述第二控制信号进行处理，并将处理后的第二控制信号传输至所述第二开关模块；所述第一开关模块均与所述第二开关模块、所述采样模块以及所述第二电源模块电性连接，用于根据所述电压信号控制自身的开启或关闭；所述第二开关模块均与所述测试模块、所述采样模块以及所述第二电源模块电性连接，用于将所述处理后的第二控制信号传输给所述测试模块；所述测试模块均与所述采样模块以及所述第二电源模块电性连接，用于连接待测P型MOSFET，并测试待测P型MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；所述采样模块与所述第二电源模块电性连接，用于采集自身电压信号；所述第二电源模块用于根据所述开关控制信号控制自身的打开或关闭，并接收所述第一数据信号，并根据所述第一数据信号输出第二数据信号至所述测试模块；所述第二电源模块用于将所述第二数据信号实时传输至所述控制模块。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆平伟实业股份有限公司 一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统及方法

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